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ROHM開發(fā)出內(nèi)置SiC二極管的IGBT(Hybrid IGBT)“RGWxx65C系列”
Time: 2021-07-20 Read: 1746

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開發(fā)出650V耐壓、內(nèi)置SiC肖特基勢壘二極管的IGBT(Hybrid IGBT)“RGWxx65C系列”,且均符合汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)“AEC-Q101”。該產(chǎn)品適用于以電氣化車輛為首的電動汽車(xEV)中的車載充電器和DC/DC轉(zhuǎn)換器、以及太陽能發(fā)電用的功率調(diào)節(jié)器等處理大功率的汽車電子設(shè)備和工業(yè)設(shè)備。

SBD_IGBT.jpg

近年來,在全球“創(chuàng)建無碳社會”和“碳中和”等減少環(huán)境負(fù)荷的努力中,電動汽車(xEV)得以日益普及。為了進(jìn)一步提高系統(tǒng)的效率,對各種車載設(shè)備的逆變器和轉(zhuǎn)換器電路中使用的功率半導(dǎo)體也提出了多樣化需求,超低損耗的SiC功率元器件(SiC MOSFET、SiC SBD等)和傳統(tǒng)的硅功率元器件(IGBT、SJ-MOSFET等)都在經(jīng)歷技術(shù)變革。

ROHM致力于為廣泛的應(yīng)用提供有效的電源解決方案,不僅專注于行業(yè)先進(jìn)的SiC功率元器件,還積極推動Si功率元器件和驅(qū)動IC的技術(shù)及產(chǎn)品開發(fā)。此次,開發(fā)了能夠?yàn)槠占爸械能囕d、工業(yè)設(shè)備提供更高性價比的Hybrid IGBT。

“RGWxx65C系列”是Hybrid型IGBT,在IGBT*2的反饋單元(續(xù)流二極管)中采用了ROHM的低損耗SiC肖特基勢壘二極管(SiC SBD),成功大幅降低以往IGBT產(chǎn)品導(dǎo)通時的開關(guān)損耗(以下稱“開通損耗”*3)。在車載充電器中采用本產(chǎn)品時,與以往IGBT產(chǎn)品相比,損耗可降低67%,與超級結(jié)MOSFET (SJ-MOSFET)相比,損耗可降低24%,有助于以更高的性價比進(jìn)一步降低車載和工業(yè)設(shè)備應(yīng)用的功耗。

新產(chǎn)品已于2021年3月開始出售樣品,預(yù)計(jì)將于2021年12月起暫以月產(chǎn)2萬個的規(guī)模投入量產(chǎn)。另外,在ROHM官網(wǎng)上還免費(fèi)提供評估和導(dǎo)入本系列產(chǎn)品所需的豐富設(shè)計(jì)數(shù)據(jù),其中包括含有驅(qū)動電路設(shè)計(jì)方法的應(yīng)用指南和SPICE模型等,以支持快速引入市場。

今后,ROHM將繼續(xù)開發(fā)滿足各種需求的低損耗功率元器件,同時,提供設(shè)計(jì)工具以及各種解決方案,通過助力應(yīng)用系統(tǒng)的節(jié)能和小型化為減輕環(huán)境負(fù)荷貢獻(xiàn)力量。

img_2.jpg

<新產(chǎn)品特點(diǎn)>

●損耗比以往IGBT產(chǎn)品低67%,為普及中的車載電子設(shè)備和工業(yè)設(shè)備提供更高性價比

“RGWxx65C系列”是Hybrid型IGBT,在IGBT的反饋單元(續(xù)流二極管)中采用了ROHM的低損耗SiC SBD。與以往使用Si快速恢復(fù)二極管(Si-FRD)的IGBT產(chǎn)品相比,成功地大幅降低了開通損耗,在車載充電器應(yīng)用中損耗比以往IGBT產(chǎn)品低67%。與通常損耗小于IGBT的SJ-MOSFET相比,損耗也可降低24%。在轉(zhuǎn)換效率方面,新產(chǎn)品可以在更寬的工作頻率范圍確保97%以上的高效率,并且在100kHz的工作頻率下,效率可比IGBT高3%,有助于以更高的性價比進(jìn)一步降低車載和工業(yè)設(shè)備應(yīng)用的功耗。

img_3.jpg
img_4.jpg

●符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn),可在惡劣環(huán)境下使用

新系列產(chǎn)品還符合汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)“AEC-Q101”,即使在車載和工業(yè)設(shè)備等嚴(yán)苛環(huán)境下也可以安心使用。

<Hybrid IGBT“RGWxx65C系列”產(chǎn)品陣容>

產(chǎn)品名稱 耐壓
VCES(V)
連接器電流
IC@100℃
(A)
開通損耗
VCE(sat)
Typ(V)
續(xù)流
二極管
符合AEC-Q101
標(biāo)準(zhǔn)
封裝

RGW60TS65CHR
650 30 1.5 SiC SBD YES TO-247N

RGW80TS65CHR
40

RGW00TS65CHR
50

RGW40NL65CHRB
20 TO-263L
(LPDL)

RGW50NL65CHRB
25

RGW60NL65CHRB
30

☆:開發(fā)中

封裝采用JEDEC標(biāo)準(zhǔn),()內(nèi)表示ROHM封裝。


<應(yīng)用示例>

  • ?車載充電器
  • ?車載DC/DC轉(zhuǎn)換器
  • ?太陽能逆變器(功率調(diào)節(jié)器)
  • ?不間斷電源裝置(UPS)
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