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ROHM小型高效SBD“RBR/RBQ系列”產(chǎn)品陣容進一步壯大
Time: 2021-08-19 Read: 1681

全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開發(fā)出小型高效的肖特基勢壘二極管(以下簡稱SBD※1)“RBR系列”共12款產(chǎn)品,“RBQ系列”共12款產(chǎn)品,這些產(chǎn)品非常適用于車載設備、工業(yè)設備和消費電子設備等各種電路的整流和保護。至此,這兩個系列的產(chǎn)品陣容中已達178款產(chǎn)品。

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在各種應用產(chǎn)品中,通常使用二極管來實現(xiàn)電路整流和保護。隨著各種應用產(chǎn)品對更低功耗的要求,比其他二極管效率更高的SBD正越來越多地被采用。另一方面,如果為了追求效率而降低VF,則存在此消彼長關系的IR將會升高,熱失控的風險會隨之增加,因此在設計電路的過程中,選擇SBD時需要很好地權(quán)衡VF和IR,這一點很重要。

在這種背景下,ROHM追求低VF特性和低IR特性之間的平衡,并進一步加強了SBD小型化產(chǎn)品陣容,以車載市場為中心創(chuàng)造了非常優(yōu)異的業(yè)績。此次,ROHM針對已經(jīng)頗具量產(chǎn)成果的RBR和RBQ系列,面向大電流、高電壓和小型化,進一步擴大了產(chǎn)品陣容,從而可以在更廣泛的應用中實現(xiàn)整流和保護工作。

通過采用新工藝,RBR系列和RBQ系列的芯片性能都得到很大提升,與ROHM以往產(chǎn)品相比,效率提高了25%。

不僅如此,RBR系列具有出色的低VF(正向電壓)※2特性(該特性是提高效率的關鍵),并實現(xiàn)了低損耗。該系列產(chǎn)品非常適用于要求提高效率的應用,比如車載設備中的車載充電器,以及消費電子設備中的筆記本電腦等。此次又新增了12款小型封裝產(chǎn)品,還將有助于削減安裝面積(比以往產(chǎn)品少42%)。

而RBQ系列則具有出色的低IR(反向電流)※3特性,可在高溫環(huán)境下穩(wěn)定工作,尤其是可降低SBD可能會發(fā)生的熱失控※4風險。非常適用于需要在高溫環(huán)境中工作的汽車動力系統(tǒng)和工業(yè)設備的高電壓電源等應用。為滿足更高耐壓的需求,此次又新增了12款100V產(chǎn)品。此外,RBR系列和RBQ系列均符合汽車電子產(chǎn)品可靠性標準AEC-Q101※5,可確保高可靠性。

這兩個系列的新產(chǎn)品從2021年6月開始已經(jīng)全部投入量產(chǎn)(樣品價格:50日元~/個,不含稅)。

今后,ROHM將繼續(xù)努力提高從低耐壓到高耐壓半導體元器件的品質(zhì),并繼續(xù)加強具有ROHM特色的產(chǎn)品陣容,為應用產(chǎn)品進一步實現(xiàn)小型化和更低功耗貢獻力量。

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<特點>

通過采用新工藝,RBR和RBQ系列與相同尺寸的ROHM以往產(chǎn)品相比,效率提高了25%,這兩個系列的產(chǎn)品分別具有以下特點:

1. RBR系列

1-1.具有低VF特性,損耗更低

RBR系列不僅保持了與低VF特性存在此消彼長關系的低IR特性,與相同尺寸的ROHM以往產(chǎn)品相比,VF特性降低約25%,損耗更低。因此,不僅非常適用于要求更高效率的車載充電器等車載設備,還非常適用于要求更節(jié)能的筆記本電腦等消費電子設備。

此外,與同等性能的產(chǎn)品相比,RBR系列還可實現(xiàn)芯片的小型化,因此受芯片尺寸影響的封裝也可以采用更小型的封裝形式。例如,如果以往產(chǎn)品尺寸為3.5mm×1.6mm(PMDU封裝),則通過將其替換為2.5mm×1.3mm尺寸(PMDE封裝)的產(chǎn)品,可使安裝面積減少約42%。

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1-2.新增小型封裝,產(chǎn)品陣容更豐富

在RBR系列中,此次新增了12款 2.5mm×1.3mm的PMDE封裝產(chǎn)品(消費電子和車載領域各6款)。至此,該系列已擁有共140款產(chǎn)品的豐富產(chǎn)品陣容(耐壓:30V、40V、60V;電流:1A~40A),進一步擴大了在車載設備和消費電子設備領域的應用范圍。

RBR1VWM30A RBR2VWM30A RBR1VWM40A RBR2VWM40A RBR1VWM60A RBR2VWM60A 30V 40V 60V 30V 40V 60V 30V 40V 60V 60V 40V 30V 40V 60V 30V

2. RBQ系列

2-1. 具有低IR特性,可在高溫環(huán)境下穩(wěn)定工作

RBQ系列采用ROHM自有的勢壘形成技術,實現(xiàn)了非常適合開關電源的VF特性和IR特性之間的平衡。與ROHM以往產(chǎn)品相比,反向功率損耗降低了60%,可進一步降低高溫環(huán)境下熱失控的風險。因此,該系列產(chǎn)品非常適用于需要在高溫環(huán)境中工作的汽車動力系統(tǒng)和工業(yè)設備用的電源等應用。

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2-2.新增100V產(chǎn)品,產(chǎn)品陣容更豐富

在RBQ系列中,此次新增了12款100V產(chǎn)品(消費電子和車載領域各6款)。至此,包括共陰極型和單芯片型產(chǎn)品在內(nèi),該系列已擁有共38款產(chǎn)品的豐富產(chǎn)品陣容(耐壓:45V、65V、100V;電流:10A~30A)。

45V 65V RBQ10BGE10A RBQ15BGE10A RBQ20BM10A 45V 65V RBQ10NS100A RBQ20NS100A RBQ30NS100A

<支持應用例>

■RBR系列

  • ?車載充電器
  • ?LED前照燈
  • ?汽車配件
  • ?筆記本電腦

■RBQ系列

  • ?工業(yè)設備電源
  • ?音響
  • ?筆記本電腦
  • ?xEV
  • ?引擎ECU
  • ?AC/DC、DC/DC電路的二次側(cè)整流

<術語解說>

*1) 肖特基勢壘二極管(Schottky Barrier Diode:SBD)
利用金屬與和半導體接觸形成肖特基結(jié)、從而獲得整流性能(二極管特性)的二極管。沒有少數(shù)載流子存儲效應,具有優(yōu)異的高速特性。
*2) 正向電壓: VF(Forward Voltage)
當電流沿從+到-的方向流動時產(chǎn)生的電壓降。該值越低,效率越高。
*3) 反向電流: IR(Reverse Current)
施加反向電壓時產(chǎn)生的反向電流。該值越低,功耗(反向功耗)越小。
*4) 熱失控
當向二極管施加反向電壓時,內(nèi)部的芯片發(fā)熱量超過了封裝的散熱量,導致IR值增加,終造成損壞的現(xiàn)象稱為“熱失控”。IR值高的SBD尤其容易發(fā)生熱失控,因此在設計電路時需要格外注意。
*5) 汽車電子產(chǎn)品可靠性標準AEC-Q101
AEC是Automotive Electronics Council的縮寫,是大型汽車制造商和大型電子元器件制造商聯(lián)手制定的針對汽車電子元器件的可靠性標準。Q101是有關分立半導體元器件(晶體管、二極管等)的標準。
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