全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM開發(fā)出內(nèi)置有2枚耐壓±40V和±60V的MOSFET且支持24V輸入的雙極MOSFET*1“QH8Mx5/SH8Mx5系列（Nch+Pch*2）”，非常適用于FA等工業(yè)設(shè)備和基站（冷卻風(fēng)扇）的電機驅(qū)動。
近年來，為了支持工業(yè)設(shè)備和基站的電機所使用的24V輸入，MOSFET作為用于驅(qū)動的器件，需要具備考慮到電壓穩(wěn)定裕度的、40V和60V的耐壓能力。此外，為了進(jìn)一步提高電機的效率并減小尺寸，對于MOSFET還提出了更低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)工作的要求。
在這種背景下，ROHM繼2020年年底發(fā)布的新一代Pch MOSFET*2之后，此次又開發(fā)出在Nch中融入新微細(xì)工藝的第6代40V和60V耐壓的MOSFET。通過這種組合，使ROHM在支持24V輸入的±40V和±60V耐壓級別擁有了業(yè)界先進(jìn)的Nch+Pch雙極MOSFET產(chǎn)品。此外，為了滿足更廣泛的需求，ROHM還開發(fā)出+40V和+60V耐壓的“QH8Kxx / SH8Kxx系列（Nch+Nch）”，產(chǎn)品陣容已達(dá)12款。
本系列產(chǎn)品采用ROHM新工藝，實現(xiàn)了業(yè)界超低的導(dǎo)通電阻，±40V耐壓產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻比普通產(chǎn)品低61%（雙極MOSFET的Pch部分比較），有助于進(jìn)一步降低各種設(shè)備的功耗。此外，通過將兩枚器件集成到一個封裝中，有助于通過減少安裝面積從而實現(xiàn)設(shè)備的小型化，還有助于減少器件選型（Nch和Pch的組合）的時間。
本系列產(chǎn)品已于2021年3月開始暫以月產(chǎn)100萬個的規(guī)模投入量產(chǎn)。
今后，ROHM還會面向要求更高耐壓的工業(yè)設(shè)備開發(fā)100V和150V耐壓產(chǎn)品，以擴(kuò)大本系列產(chǎn)品的陣容，通過降低各種應(yīng)用的功耗和實現(xiàn)其小型化來助力解決環(huán)境保護(hù)等社會問題。
＜新產(chǎn)品特點＞
1.實現(xiàn)業(yè)界超低導(dǎo)通電阻
在ROHM此次開發(fā)的業(yè)界先進(jìn)的雙極MOSFET 中，采用了新工藝的、±40V耐壓的產(chǎn)品與普通產(chǎn)品相比，Pch部分的導(dǎo)通電阻降低多達(dá)61％，Nch部分的導(dǎo)通電阻也降低達(dá)39％，有助于降低各種設(shè)備的功耗。
2.具備只有雙極MOSFET才有的特點，有助于實現(xiàn)設(shè)備的小型化和縮短設(shè)計周期
通過在一個封裝中內(nèi)置兩枚器件，有助于設(shè)備的小型化和減少器件選型的時間。在小型化方面，如果將以往的Nch+Pch雙極MOSFET（SOP8）替換成新產(chǎn)品（TSMT8），安裝面積可減少75%。
＜與預(yù)驅(qū)動器IC組合，可提供更出色的電機驅(qū)動解決方案＞
通過將本產(chǎn)品與已具有豐碩實際應(yīng)用業(yè)績的ROHM單相和三相無刷電機用預(yù)驅(qū)動器IC相結(jié)合，可以進(jìn)一步考慮電機的小型化、低功耗和靜音驅(qū)動。通過為外圍電路設(shè)計提供雙極MOSFET系列和預(yù)驅(qū)動器IC相結(jié)合的綜合支持，為客戶提供滿足其需求且更出色的電機驅(qū)動解決方案。
＜應(yīng)用示例＞
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■FA設(shè)備、機器人等工業(yè)設(shè)備和基站用的風(fēng)扇電機
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■大型消費電子設(shè)備用的風(fēng)扇電機
＜術(shù)語解說＞
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*1) MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor的縮寫）
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金屬－氧化物－半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，是FET中常用的結(jié)構(gòu)。 用作開關(guān)元件。
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*2) Pch MOSFET 和Nch MOSFET
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Pch MOSFET：通過向柵極施加相對于源極為負(fù)的電壓而導(dǎo)通的MOSFET。
可用比低于輸入電壓低的電壓驅(qū)動，因此電路結(jié)構(gòu)較為簡單。
Nch MOSFET：通過向柵極施加相對于源極為正的電壓而導(dǎo)通的MOSFET。
相比Pch MOSFET，漏源間的導(dǎo)通電阻更小，因此可減少常規(guī)損耗。
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*3) 導(dǎo)通電阻
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使MOSFET啟動（ON）時漏極與源極之間的電阻值。該值越小，則運行時的損耗（電力損耗）越少。
