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ROHM開(kāi)發(fā)出1mm見(jiàn)方超小型車載MOSFET!
Time: 2020-10-14 Read: 1647

2020年9月29日

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全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開(kāi)發(fā)出符合汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101※1的超小型MOSFET “RV8C010UN”、“RV8L002SN”、“BSS84X”,尺寸僅為1.0mm×1.0mm。
新產(chǎn)品采用融入ROHM自有工藝方法的Wettable Flank成型技術(shù)※2,以1.0mm×1.0mm的尺寸,保證了封裝側(cè)面電極部分125μm的高度,屬于業(yè)內(nèi)較高水平。經(jīng)自動(dòng)光學(xué)檢查(以下簡(jiǎn)稱“AOI”※3),在追求品質(zhì)的車載相關(guān)設(shè)備上安裝重要元器件后會(huì)實(shí)施該檢查)確認(rèn),實(shí)現(xiàn)了非常出色的焊接可靠性。另外,通常小型化和高散熱性之間存在著矛盾權(quán)衡關(guān)系,采用底部電極結(jié)構(gòu)的新封裝同時(shí)兼顧了小型化與高散熱性,非常適用于電路板高密度化的車載ECU和高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)等相關(guān)設(shè)備。
新產(chǎn)品已于2020年9月開(kāi)始暫以月產(chǎn)10萬(wàn)個(gè)的規(guī)模投入量產(chǎn)(樣品價(jià)格:100日元/個(gè),不含稅)。

近年來(lái),隨著汽車電子化進(jìn)程的加速,一臺(tái)汽車中使用的電子元器件和半導(dǎo)體元器件數(shù)量呈增多趨勢(shì)。因此,需要在有限的空間里安裝更多的元器件,安裝密度越來(lái)越高。例如,1個(gè)車載ECU中的半導(dǎo)體和積層陶瓷電容器的平均搭載數(shù)量,預(yù)計(jì)到2025年將從2019年的186個(gè)增加至230個(gè),增加近3成。為了滿足安裝密度越來(lái)越高的車載應(yīng)用的需求,市場(chǎng)對(duì)小型化的要求也越來(lái)越高,因此能夠兼顧小型和高散熱性的底部電極封裝形式開(kāi)始受到青睞。
另一方面,對(duì)于車載元器件,為確保可靠性,雖然會(huì)在安裝元器件后實(shí)施AOI,但由于底部電極封裝只在底部有電極,故無(wú)法確認(rèn)焊接狀態(tài),進(jìn)行車載標(biāo)準(zhǔn)的AOI有一定難度。

※截至2020年9月29日據(jù)ROHM調(diào)查

新產(chǎn)品采用ROHM自有的Wettable Flank成型技術(shù),成功解決了這一課題,并實(shí)現(xiàn)了車載用超小型MOSFET,得到了越來(lái)越多的汽車領(lǐng)域制造商的青睞。未來(lái),不僅在MOSFET領(lǐng)域,ROHM 也會(huì)在雙極晶體管和二極管領(lǐng)域的產(chǎn)品陣容進(jìn)行不斷擴(kuò)充。

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<特點(diǎn)>

1. 利用融入ROHM自有工藝方法的Wettable Flank成型技術(shù),保證封裝側(cè)面電極部分125μm的高度

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采用傳統(tǒng)技術(shù)的底部電極封裝,因其無(wú)法在引線框架側(cè)面進(jìn)行電鍍加工,無(wú)法確保車載所需的焊料高度,難以實(shí)施AOI。新產(chǎn)品采用ROHM自有的 Wettable Flank成型技術(shù), 實(shí)現(xiàn)達(dá)到引線框架上限的電鍍加工,以1.0mm×1.0mm的尺寸,保證封裝側(cè)面電極部分高度達(dá)125μm。即使是底部電極封裝,也可實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的焊接圓角,通過(guò)元器件安裝后的AOI可切實(shí)確認(rèn)焊接狀態(tài)。

2. 替換為超小型、高散熱性的MOSFET,可應(yīng)對(duì)電路板的高密度化

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新產(chǎn)品尺寸僅為1.0mm×1.0mm(DFN1010封裝),卻實(shí)現(xiàn)了與2.9mm×2.4mm尺寸(SOT-23封裝)同等的性能,可削減安裝面積達(dá)85%左右。不僅如此,通過(guò)采用散熱性能優(yōu)異的底部電極,與SOT-23封裝相比,可將通常因體積縮小而降低的散熱性提高65%。新產(chǎn)品兼顧了小型化與高散熱性,非常適用于隨功能增加,電路板日益高密度化的車載ECU和ADAS相關(guān)設(shè)備等應(yīng)用。

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