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ROHM開發(fā)出內(nèi)置SiC二極管的IGBT（Hybrid IGBT）“RGWxx65C系列”
時間: 2021-07-20 閱讀: 1745

全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)出650V耐壓、內(nèi)置SiC肖特基勢壘二極管的IGBT（Hybrid IGBT）“RGWxx65C系列”，且均符合汽車電子產(chǎn)品可靠性標準“AEC-Q101”。該產(chǎn)品適用于以電氣化車輛為首的電動汽車（xEV）中的車載充電器和DC/DC轉(zhuǎn)換器、以及太陽能發(fā)電用的功率調(diào)節(jié)器等處理大功率的汽車電子設備和工業(yè)設備。

近年來，在全球“創(chuàng)建無碳社會”和“碳中和”等減少環(huán)境負荷的努力中，電動汽車（xEV）得以日益普及。為了進一步提高系統(tǒng)的效率，對各種車載設備的逆變器和轉(zhuǎn)換器電路中使用的功率半導體也提出了多樣化需求，超低損耗的SiC功率元器件（SiC MOSFET、SiC SBD等）和傳統(tǒng)的硅功率元器件（IGBT、SJ-MOSFET等）都在經(jīng)歷技術(shù)變革。

ROHM致力于為廣泛的應用提供有效的電源解決方案，不僅專注于行業(yè)先進的SiC功率元器件，還積極推動Si功率元器件和驅(qū)動IC的技術(shù)及產(chǎn)品開發(fā)。此次，開發(fā)了能夠為普及中的車載、工業(yè)設備提供更高性價比的Hybrid IGBT。

“RGWxx65C系列”是Hybrid型IGBT，在IGBT*2的反饋單元（續(xù)流二極管）中采用了ROHM的低損耗SiC肖特基勢壘二極管（SiC SBD），成功大幅降低以往IGBT產(chǎn)品導通時的開關(guān)損耗（以下稱“開通損耗”*3）。在車載充電器中采用本產(chǎn)品時，與以往IGBT產(chǎn)品相比，損耗可降低67％，與超級結(jié)MOSFET （SJ-MOSFET）相比，損耗可降低24％，有助于以更高的性價比進一步降低車載和工業(yè)設備應用的功耗。

新產(chǎn)品已于2021年3月開始出售樣品，預計將于2021年12月起暫以月產(chǎn)2萬個的規(guī)模投入量產(chǎn)。另外，在ROHM官網(wǎng)上還免費提供評估和導入本系列產(chǎn)品所需的豐富設計數(shù)據(jù)，其中包括含有驅(qū)動電路設計方法的應用指南和SPICE模型等，以支持快速引入市場。

今后，ROHM將繼續(xù)開發(fā)滿足各種需求的低損耗功率元器件，同時，提供設計工具以及各種解決方案，通過助力應用系統(tǒng)的節(jié)能和小型化為減輕環(huán)境負荷貢獻力量。

＜新產(chǎn)品特點＞

●損耗比以往IGBT產(chǎn)品低67％，為普及中的車載電子設備和工業(yè)設備提供更高性價比

“RGWxx65C系列”是Hybrid型IGBT，在IGBT的反饋單元（續(xù)流二極管）中采用了ROHM的低損耗SiC SBD。與以往使用Si快速恢復二極管（Si-FRD）的IGBT產(chǎn)品相比，成功地大幅降低了開通損耗，在車載充電器應用中損耗比以往IGBT產(chǎn)品低67％。與通常損耗小于IGBT的SJ-MOSFET相比，損耗也可降低24％。在轉(zhuǎn)換效率方面，新產(chǎn)品可以在更寬的工作頻率范圍確保97％以上的高效率，并且在100kHz的工作頻率下，效率可比IGBT高3％，有助于以更高的性價比進一步降低車載和工業(yè)設備應用的功耗。